大家都知道，辟蹊当下先进工艺（尤其是径不机也7nm以下），基本都依赖ASML的光刻EUV极紫外光刻机。

按照传统认知，辟蹊没有EUV就造不出先进工艺，径不机也那有没有其他办法呢。光刻

前段时间，辟蹊世界上就有一种“特殊”5nm的径不机也消息传出，它是光刻怎么来的呢？

有报道称，这种5nm采用了完全不一样的辟蹊技术路线，避开了EUV光刻机的径不机也依赖，采用一种步进扫描光刻机，光刻通过多重曝光实现5nm线宽。辟蹊

光刻机是径不机也整个芯片制造过程中最为核心的设备，主要功能是光刻将掩模上的电路图案通过光学系统投射到涂有光刻胶的硅片上，在光刻胶上形成精细的图案，就像 “画工” 在硅片上绘制电路图，芯片的制程由光刻机决定。

另外，刻蚀机采用某5nm刻蚀设备，精度达到原子级，号称刻蚀速率比以往水平提升15%。

在光刻完成后登场，刻蚀机的主要作用是按照光刻机标注好的图案，通过化学或物理作用，将硅片上多余的部分，如未被光刻胶保护的材料腐蚀掉，留下需要的部分，以形成半导体器件和连接的图案，类似于 “雕工”。

不仅如此，量测设备也采用了新的电子束量测系统，实现nm级缺陷检测的替代。

也就是说，这种“另辟蹊径”的方法，带动了半导体设备、材料、设计工具等全产业链发展。

说不定，未来这种办法，也能造出3nm，大家不妨拭目以待。